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  • 2018-03-14

    RIE-PE刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產生輝發性物質進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。RIE-PE刻蝕機主要對太陽能電池片周邊的P—N結進行刻蝕,使太陽能電池片周邊呈開路狀態。也可用于半導體工藝中多晶硅,氮化硅的刻蝕和去膠。刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數來衡量。所謂保真度度,就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上,即希望只刻蝕...

  • 2018-01-24

    熱真空試驗箱注意事項1、儀器外殼必須有效接地,以保證使用安全。2、儀器應放在通風良好的室內水平位置,在其周圍不可放置易燃易爆物品。3、應在供電線路中安裝鐵殼的閘刀開關一只,供此箱,在外殼接地通電前請檢查本箱的電器性能,并應注意是否有斷路或漏電現象,本儀器無防爆裝置,不得放入易燃易爆物品干燥。4、箱內物品放置切勿過擠,必須留出空間,以利熱空氣循環。5、箱子由于密封度較高,在使用時,加溫前需抽去真空,以防氣體膨脹發生爆炸,儀器需要專人操作,在使用過程中發現真空表沒有負壓時,應繼續...

  • 2017-12-15

    隨著汽車行業的發展,其各方面性能要求越來越高。點火線圈有提升動力,zui明顯的效果是提升行駛時的中低速扭距;消除積碳,更好的保護發動機,延長發動機的壽命;減少或消除發動機的共振;燃油充分燃燒,減少排放等諸多功能。微波等離子清洗機要使點火線圈充分發揮它的作用,其質量、可靠度、使用壽命等要求必須達到標準,但是目前的點火線圈生產工藝尚存在很大的問題——點火線圈骨架外澆注環氧樹脂后,由于骨架在出模具前表面含大量的揮發性油污,導致骨架與環氧樹脂結合面粘合不牢靠,成品使用中,點火瞬間溫度...

  • 2017-11-28

    加熱后的氣體被導向真空壓力表,真空壓力表就會產生溫升。熱真空試驗箱如果溫升超過了真空壓力表規定的使用溫度范圍,就可能使真空壓力表產生示值誤差。一般的熱真空試驗箱均設有溫度均勻度參數:自然對流式的干燥箱為工作溫度上限乘3%,強制對流式的干燥箱為工作溫度上限乘2.5%。惟獨電熱真空干燥箱不設溫度均勻度參數,這是為什么?真空干燥箱內依靠氣體分子運動使工作室溫度達到均勻的可能性幾乎已經沒有了。因此,從概念上我們就不能再把通常電熱(鼓風)干燥箱所規定的溫度均勻度定義用到真空干燥箱上來。...

  • 2017-10-27

    在所有的清洗方式中,進口晶圓清洗機是效率zui高、效果的一種,之所以超聲波清洗能夠達到如此的效果,是與它*的工作原理和清洗方法密切相關的。我們知道,在生產和生活當中,需要清潔的東西很多,進口晶圓清洗機需要清洗的種類和環節也很多,如:物件的清除污染物,疏通細小孔洞,常見的手工清洗方法對異型物件以及物件隱蔽處無疑無法達到要求,即使是蒸汽清洗和高壓水射流清洗也無法滿足對清潔度較高的需求,超聲波清洗對物件還能達到殺滅細菌、溶解有機污染物、防止過腐蝕等,因此,進口晶圓清洗機被日益廣泛應...

  • 2017-10-19

    在眾多半導體工藝中,刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行,是傳統的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點,即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕,也有不需要的橫向刻蝕,因而精度差,線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機是因大規模集成電路生產的需要而開發的精細加工技術,它具有各向異性特點,在zui大限度上保證了縱向刻蝕,還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統。RIE-PE刻蝕機為了適應工藝發展需求,各...

  • 2017-09-21

    微波等離子清洗機也叫等離子表面處理儀,是一種全新的高科技技術,利用等離子體來達到常規清洗方法無法達到的效果。等離子體是物質的一種狀態,也叫做物質的第四態。微波等離子清洗機對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態。等離子體的“活性”組分包括:離子、電子、活性基團、激發態的核素、光子等。等離子清洗機就是通過利用這些活性組分的性質來處理樣品表面,從而實現清潔等目的。等離子體和固體、液體或氣體一樣,是物質的一種狀態,也叫做物質的第四態。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態...

  • 2017-09-14

    繼NANO-MASTER*技術的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應用于NANO-MASTER的刻蝕系統,ICPECVD沉積系統,PA-MOCVD生長系統之后,該ICP離子源順利應用于ALD系統。由于該型技術設計的ICP源為平面設計的遠程等離子源,可以在更低電源下達到更高的離子密度,具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優勢,確保了該ALD系統具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短(沉積效率可以達到兩倍以上)的先進性能。此外,可以實現低溫(100度以內)的薄膜生長。

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