微波等離子去膠機適用于小批量生產和研發的設備。并且，此系統可以滿足360度的芯片封裝需要。AL18系統是一款創新型的通用設備，可選配旋轉轉盤，及ECR(電子回旋共振)裝置。
微波等離子去膠機的工作原理：
氧等離子去膠是利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，是的有機聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純干法工藝，無液體或者有機溶劑參與。當然我們需要注意的是，這里并不是說氧等離子去膠工藝100%好于濕法去膠，同時也不是所有的光刻膠都適用于氧等離子去膠，以下幾種情形我們需要注意：
①部分穩定性*的光刻膠如SU-8、PI(聚酰亞胺)，往往膠厚也比較大，純氧等離子體去膠速率也比較有限，為了保證快速去膠，往往還會在工藝氣體中增加氟基氣體增加去膠速率，因此不只是氧氣是反應氣體，有時候我們也需要其他氣體參與；
②涂膠后形成類非晶態二氧化硅的HSQ光刻膠。由于其構成并不是單純的碳氫氧，所以是無法使用氧等離子去膠機來實現去膠；
③當我們的樣品中有其他需要保留的結構層本身就是有機聚合物構成的，在等離子去膠的過程中，這些需要保留的層也可能會在氧等離子下發生損傷；
④樣品是由容易氧化的材料或者有易氧化的結構層，氧等離子去膠過程，這些材料也會被氧化，如金屬AG、C、CR、Fe以及Al，非金屬的石墨烯等二維材料；
市面上常見氧等離子去膠機按照頻率可分為微波等離子去膠機和射頻等離子去膠機兩種，微波等離子去膠機的工作頻率為2.45GHz，射頻等離子去膠機的工作頻率為13.5MHz，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的離子濃度、更小的自偏壓，更高的離子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對襯底的刻蝕效應更小，也意味著去膠過程中對襯底無損傷，而射頻等離子去膠機其工作原理與刻蝕機相似，結構上更加簡單。因此，在光電器件的加工中，去膠機的選擇更推薦使用損傷更小的微波等離子去膠機。
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更新時間：2022-06-23 
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