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更新時間：2017-09-14 
瀏覽次數：3948繼NANO-MASTER*技術的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應用于NANO-MASTER的刻蝕系統，ICPECVD沉積系統，PA-MOCVD生長系統之后，該ICP離子源順利應用于ALD系統。
由于該型技術設計的ICP源為平面設計的遠程等離子源，可以在更低電源下達到更高的離子密度，具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優勢，確保了該ALD系統具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短（沉積效率可以達到兩倍以上）的先進性能。此外，可以實現低溫（100度以內）的薄膜生長。
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